β-氧化镓是一种直接带隙的宽禁带氧化物半导体材料，其禁带宽度约为4.9eV，具有击穿电场强度高、紫外透过率高等优点，在耐高压功率器件、紫外探测器等领域有重要应用。中国电科46所可提供尺寸大于10mm×10mm-2英寸，表面粗糙度小于0.5nm的高阻、低阻β-氧化镓单晶抛光片。